分数带隙基准电压源这种基准电压源基于双极晶体管的温度特性设计，但输出电压可以低至几毫伏 。它适用于超低电压电路，特别是阈值必须小于常规带隙电压 (约 1.2V) 的比较器应用 。
图6所示为LM10的核心电路，同正常带隙基准电压源相似，其中结合了与温度成正比和成反比的元件，以获得恒定的200mV基准电压 。分数带隙基准电压源通常使用?VBE产生一个与温度成正比的电流，使用VBE产生一个与温度成反比的电流 。二者以适当的比例在一个电阻元件中合并，以产生不随温度变化的电压 。电阻大小可以更改，从而改变基准电压而不影响温度特性 。这与传统带隙电路的不同之处在于，分数带隙电路合并电流，而统电路倾向于合并电压，通常是基极-发射极电压和具有相反 TC 的 I?R 。
图 6. 200mV 基准电压源电路
像LM10电路这样的分数带隙基准电压源在某些情况下同样是基于减法 。LT6650具有400mV的此类基准电压，并且配有一个放大器 。因此，可以通过改变放大器的增益来改变基准电压，并提供一个缓冲输出 。使用这种简单电路可以产生低于电源电压0.4V至几毫伏的任何输出电压 。LT6700(图7)和LT6703是集成度更高的解决方案，其将400mV基准电压源与比较器相结合，可用作电压监控器或窗口比较器 。400mV基准电压源可以监控小输入信号，从而降低监控电路的复杂性；它还能监控采用非常低电源电压工作的电路元件 。如果阈值较大，可以添加一个简单的电阻分压器(图8) 。这些产品均采用小尺寸封装(SOT23)，功耗很低(低于 10μA)，支持宽电源范围 (1.4V 至 18V) 。此外，LT6700 提供 2mm x 3mm DFN 封装，LT6703 提供 2mm x 2mm DFN 封装 。
LT6700 支持与低至 400mV 的阈值进行比较
图 8 .通过输入电压分压来设置较高阈值
选择基准电压源了解所有这些选项之后，如何为应用选择恰当的基准电压源呢？以下是一些用来缩小选择范围的窍门：
- 电源电压是否非常高？选择分流基准电压源 。
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电源电压或负载电流的变化范围是否很大？选择串联基准电压源 。
是否需要高功效比？选择串联基准电压源 。.
确定实际温度范围 。对于各种温度范围，包括0°C至70°C、-40°C至85°C和-40°C至125°C 。
精度要求应切合实际 。了解应用所需的精度非常重要 。这有助于确定关键规格 。考虑到这一要求，将温度漂移乘以指定温度范围，加上初始精度误差、热迟滞和预期产品寿命期间的长期漂移，减去任何将在出厂时校准或定期重新校准的项，便得到总体精度 。对于要求最苛刻的应用，还可以增加噪声、电压调整率和负载调整率误差 。例如，一个基准电压源的初始精度误差为0.1%(1000ppm)，-40°C至85°C范围内的温度漂移为25ppm/°C，热迟滞为200ppm，峰峰值噪声为2ppm，时间漂移为 50ppm/√kHr则在电路建成时总不确定性将超过 4300ppm 。在电路通电后的前 1000小时，这种不确定性增加 50ppm 。初始精度可以校准，从而将误差降低至3300ppm50ppm ? √(t/1000小时).