关于7nm的良率

2024-02-01 生活百科生活知道

拜托外行不懂别乱说了，DUV量产7nm良率其实不低，台积电的N7在2017年就已经量产达到70+的良率了，在引入EUV的N7+之前使用DUV的N7和N7P良率都已经达到90+%了，而且引入EUV，哪怕到了5/4nm其中大部分光刻也都是由DUV完成,EUV再进行加工。
而且那时候台积电用的还是老款的1980，不是我们现在有的新款2000和2050.

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19年的测评台积电N7靠DUV多重暴光出来的7nmAMD的8核CPU良品率高达93.5%
台积电的7nm制程工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P），以及7nm EUV（N7+）。其中N7和N7P使用的是DUV光刻，但为了用DUV制作7nm工艺，它还使用了沉醉式光刻、多重暴光等技术。而N7+则直接使用了EUV光刻，2017年，台积电开始使用EUV进行7nm制程开发，并于2019年开始小范围量产，2020年大范围量产，主要产品包括智能手机处理器、HPC和汽车芯片。
$中芯国际(SH688981)$ $张江高科(SH600895)$ $北方华创(SZ002371)$
通常情况下，28nm的IC最多可以使用50层光罩，14nm/10nm的IC使用60层光罩， 7nm有80层光罩，5nm则达到100层光罩。台积电在7nm芯片上中的12层使用EUV，68层都使用DUV 。在5nm节点，台积电将EUV 用于其中22层，其余78 层则是DUV 。
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