性能拉满，能耗暴降 _生活知道

说起这个首次实现量产的3纳米芯片，就不能不提到它背后的MBCFET技术。

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MBCFE突破了此前FinFET的性能限制，通过降低电源电压水平来提高功率效力，同时还通过增加驱动电流能力提高了性能。
说起纳米片晶体管和半导体芯片的应用，三星这还是第一次。目的是为了实现高性能、低功耗的计算服务。终究能在移动处理器上也得以应用。
三星的总裁，兼代工业务负责人Siyoung Choi博士表示，「我们一直都发展得很快。三星一直紧跟前沿的技术，然后想方法把它们投入生产应用。比如说之前的首个High-K金属栅极、FinFET，还有EUV等等。」
「现在，我们又是第一个研究MBCFET的。」
【性能拉满，能耗暴降】三星的独家技术应用了有更宽的通道的纳米片，和用通道窄一点的纳米线的传统GAA技术相比，不光提升了性能，还提高了能源利用率。
不但如此，应用了3纳米GAA技术，三星还能通过调整纳米片的通道宽度，优化功耗和性能，来满足各类客户的不同需求。
另外， 3纳米GAA的设计非常灵活，简直就是为设计技术协同优化（DTCO）量身打造的。我们主要看新技术应用以后，芯片的功耗、性能和面积大?。≒PA，Power、Performance、Area）三个维度来量化。
和5纳米的工艺相比，第一代3纳米工艺相比5纳米降低了高达45%的能耗，提升了23%的性能，减少了16%的面积。
光是一代的提升就已经肉眼可见了。
更不用说二代的PPA——功耗降低50%、性能提高30%、面积减少35%，比一代又优秀了不知多少。
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性能拉满，能耗暴降

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