IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展现了采取3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步 。
【三星全球首秀3nm，电压只需0.23V】三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，该技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些 ， 称之为纳米片(nanosheet) 。

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三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星自豪的就是超低功耗 ， 写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术 。
依照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％ ， 性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％ 。三星3nm预计明年投入量产 ， 但还没有公布任何客户 。
关于本次三星全球首秀3nm，电压只需0.23V的问题分享到这里就结束了 ， 如果解决了您的问题，我们非常高兴 。

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